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El análisis de las propiedades de transporte cuántico, tales como la transmitancia y reflectancia, es crucial para el diseño de dispositivos nanoelectrónicos modernos, por ejemplo, diodos de efecto túnel y transistores. En este trabajo se presenta un estudio teórico sistemático del efecto de la asimetría geométrica de una barrera de potencial triangular unidimensional sobre la transmitancia. El modelo se desarrolla en el marco de la representación de Schrödinger, resolviendo la ecuación de onda independiente del tiempo mediante el Método de la Matriz de Transferencia (TMM), utilizando las funciones de Airy exactas de primera y segunda especie. Se cuantifica el coeficiente de transmisión ($T$) en función de la energía incidente ($E$), evaluando el impacto del perfil de asimetría ($\eta$) bajo condiciones de altura fija y área constante, demostrando así que existe una fuerte influencia del parámetro de asimetría sobre la transmitancia, proporcionando un esquema de desarrollo para la aplicación en dispositivos basados en heteroestructuras semiconductoras, validando el perfil geométrico como un parámetro de diseño esencial para optimizar la respuesta eléctrica en dispositivos de efecto túnel.
